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ARM总裁 承认公司在移动IC的工艺上不占优势

ARM总裁 承认公司在移动IC的工艺上不占优势

更新日期:2019-6-2

  欧亿体育电子公司资讯:近日,ARM总裁Warren East表示,“英特尔公司在移动IC的生产工艺上不占优势。”
  “去年这个时候英特尔阵营为他们的制造优势做出很多噱头,”East说,“我们一直对此表示怀疑,因为ARM企业系统正研发28nm制程,而英特尔才进行32nm制程的开发,我没看到他们哪里更领先。”
  此外,随着Foundries开发周期的缩短,开发速度的加快,英特尔将会发现移动工艺技术的发展将会超出他们的预料。
  “我们支持所有的独立研发,”East说道,“包括TSMC20nm planarbulk CMOS和16nm Fin FET,三星20nm planarbulk CMOS、14nm Fin FET和20nm planarbulk CMOS,以及Global Foundries 20nm FD-SOI和14nm Fin FET。”
  它使得ARM生态系统有一个庞大的工艺群可以选择。“我没有更好的方法判断哪个工艺比其他工艺更成功,”East说,“我们的方法与工艺无关。”
  重要的是,Foundries的工艺与英特尔的方向在14nm制程相交轨。
  14nm将是英特尔在更小节点的移动SOC的首要目标,他们或许会将之放到某个首次发布的新工艺IC中。
  当问及Foundries是否准备推出下一代更小节点移动SOC,East回复说,”这也是我们想要从Foundries那知道的信息。“Global Foundries打算在2014年批量制造14nm Fin FET,与英特尔开始生产14nm Fin FET的计划处于同一时间。
  事实上,GF的14nm工艺可能比英特尔的更小,Global Foundries的高级副总裁Mojy Chian说:“因为英特尔的术语库与开发界使用的术语库不匹配。比如,在back-endmetal lisation方面英特尔的22nm制程与开发界的28nm制程,英特尔22nm制程的设计规则和间距与代工厂的28nm制程的差异。

原发布时间:2012-10-29 11:09:29

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